Биосенсор для определения качества воды Печать
(1 голос)
13.05.2009 г.

Image

Безопасность питьевой воды является одной из важнейших составляющих, необходимых для успешного выполнения войсками боевой задачи, однако при ведении боевых действий времени на лабораторный анализ может и не хватить. Исследователи из США разработали простой портативный прибор для скрининга качества воды.

Сенсор токсичности и система его питания помещается в чемоданчик , позволяющий легко транспортировать устройство. (Рисунок из Lab Chip, 2009, DOI: 10.1039/b901314h)

Марк Виддер (Mark Widder) из Центра Исследования Окружающей среды армии США вырастил монослой клеток млекопитающих на пластинках струйных электродов (fluidic chip's electrodes). Полученные биоэлектроды опускали в воду и регистрировали электрический отклик клеток. Было продемонстрировано, что полное сопротивление клеток (импенданс) меняется, если в воде содержатся токсины.

 
Создан полевой транзистор n-типа из графеновой наноленты Печать
(0 голосов)
12.05.2009 г.

Объединенная группа ученых из трех американских университетов – первая, кому удалось создать транзистор n-типа, используя новый и пока еще экзотический материал толщиной в один атом, известный как графен.

Эти результаты имеют большое значение, поскольку открывают путь к созданию высокоскоростных компьютерных микросхем меньшего размера, о чем мы писали буквально несколько дней назад (см. Получены графеновые пленки большой площади). Такие микросхемы позволят более эффективно работать с большими файлами и передавать информацию в линиях связи.

Исследовательская группа, объединившая специалистов из Университета Флориды, Стэнфордского университета и Ливерморской национальной лаборатории им. Лоуренса разработала технологию легирования графена, которая позволяет создавать на его основе полупроводниковые материалы с электронным типом проводимости.

Результаты исследований только что опубликованы в журнале Science (N-Doping of Graphene Through Electrothermal Reactions with Ammonia)

По словам Йин Гуо (Jing Guo), адъюнкт-профессора Университета Флориды и одного из ведущих участников исследований, задача образования графеновых полупроводников p-типа была решена довольно давно, и ученым из межуниверситетской команды пришлось искать абсолютно новые способы модифицирования графена. Перспективы его практического применения во многом определяются тем, насколько доступным и легким будет процесс получения полупроводникового материала n-типа.

 
Получены графеновые пленки большой площади Печать
(0 голосов)
08.05.2009 г.

Image

Создание слоев графена большой площади с использованием меди может оказаться очень важным для производства графен-содержащих изделий в полупроводниковой промышленности. Результатом этого могут стать компьютеры и другая электроника повышенного быстродействия.

Исследователи из Университета Техаса в Остине (University of Texas at Austin), США разработали технологию выращивания пленок графена равномерной толщины площадью около одного квадратного сантиметра на подложке из медной фольги.

Изображение медной фольги, покрытой графеном, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа; масштаб — 40 мкм (иллюстрация: University of Texas at Austin)

Как известно, практическая ценность графена определяется выдающимися показателями подвижности носителей заряда, которые, по идее, должны повысить скорость переключения наноэлектронных устройств. Кроме того, этот материал технологичен, а необычные механические свойства позволяют применять его при изготовлении датчиков давления и детекторов молекул и клеток. Как отметил руководитель исследования проф. Родни Руофф (Rodney S. Ruoff), использование графена должно дать возможность конструировать более быстрые компьютеры с меньшим энергопотреблением и другие электронные устройства, работающие на сверхвысоких частотах. Помимо этого, на основе графена можно создавать оптически прозрачные проводящие пленки, которые будут применяться в производстве дисплеев и солнечных батарей.

 
Семинар по теме «Нанотехнологии в Германии: направления исследований и области применения» Печать
(0 голосов)
05.05.2009 г.

Image

Семинар по теме «Нанотехнологии в Германии: направления исследований и области применения» проводит Международная Академия менеджмента и технологий (Дюссельдорф, Германия) при поддержке Отделения Торгового представительства РФ в Бонне. Мероприятие пройдет с 21 по 27 июня 2009 года в городах Земли Северный Рейн-Вестфалия (Германия).

В ходе семинара его участники посетят Вторую конференцию и выставку по нанотехнологиям Земли Северный Рейн-Вестфалия, которые будут проходить 22-23 июня 2009 г. в Конгресс-центре Westfallenhalle Дортмунда.

Центральное место в программе конференции и выставки занимают такие темы, как:

  • наноэлектроника;
  • наноаналитика;
  • нанофотоника;
  • наноматериалы.

 
Получены алмазные наностержни удивительных размеров и свойств Печать
(0 голосов)
04.05.2009 г.

Image

Наноструктуры из алмаза с высоким соотношением измерений (например, длины к ширине или диаметру) представляют собой огромную ценность для науки, будь то теоретические разработки или экспериментальное их подтверждение. Особый интерес ученые видят в квази-одномерных структурах типа нанотрубок, наностержней, нанопроволоки и т.д., поскольку прогнозируют их использование в изделиях оптики, электроники и биотехники скорого будущего. К сожалению, изготовление этих одномерных алмазных наноструктур представвляет собой большую проблему, а исследования их свойств находятся в «зародышевом» состоянии.

Изображение наконечника алмазного стержня (получено на растровом просвечивающем электронном микроскопе с очень большим увеличением) и режимы процесса (Изображения из научной публикации).

Инженеры из Университета Ольстера (University of Ulster), Ирландия стали первыми в мире, кто сумел создать алмазные наностержни диаметром 2,1 нанометра, которые не только много меньше всех известных на настоящий момент времени (4–300 нм), но и меньше теоретически предсказанного минимума для энергетически стабильных наностержней из алмаза. Для проведения исследований ученые из Университета Ольстера использовали современное оборудование, в частности, растровые просвечивающие электронные микроскопы Бирмингемского Университета (Birmingham University) и Дарсбурской Лаборатории (Daresbury Laboratory), известных своей высокой технологической оснащенностью.