Индекс цитирования

Авторизация






Забыли пароль?

Обложка журнала

НОВОСТИ

(11/10) Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность..
   Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность меняет течение жидкости     ...
Read More ...
(11/10) Ученые обнаружили пути проникновения вирусов гриппа и ВИЧ в организм
Ученые ИФХЭ РАН, НИТУ МИСиС, МФТИ и ряда других российских научных организаций изучили и описали би...
Read More ...
(17/04) Курс “Анализ геномных данных”, Москва, 2 – 11 июля 2012
Уважаемые коллеги, Со 2 по 11 июля 2012 года Учебный центр Института биологии гена РАН организует практический десятидневный курс по статистическому анализу геномных дан...
Read More ...
(12/03) Впервые получено изображение атомов, движущихся в молекуле
Исследователи из Университетов Огайо и Канзаса впервые смогли получить изображения атомов, движущихся в молекуле. С помощью ультрабыстрого лазера исследователи выбивали элек...
Read More ...

Слои гексагонального нитрида бора для наноэлектроники Печать
(0 голосов)
21.08.2010 г.

Image

Материал, которому исследователи дали название «белый графен» может стать важным спутником настоящего графена в создании наноразмерных электронных устройств будущего.

Слева – изображение одноатомных слоев гексагонального нитрида бора, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Справа – картина дифракции электронов на одноатомном слое гексагонального нитрида бора. (Рисунок из Nano Letters, 2010; 100722142755098 DOI: 10.1021/nl1022139)

p align="justify">Также возможно, что «белый графен» – одноатомные слои гексагонального нитрида бора [hexagonal boron nitride (h-BN)], могут найти и самодостаточное применение. Впервые метод получения гексагонального нитрида бора был разработан в исследовательской группе Пуликеля Аджаяна (Pulickel Ajayan), профессора из Университета Райса. Исследователи, получившие гексагональный нитрид бора предполагали, что этот материал вполне может выступать в качестве комплементарного дополнения графену в микроэлектронике.

Графен, о котором в последнее время все чаще говорят как о перспективной замене кремнию в микроэлектронике в первую очередь благодаря его исключительным электронным свойствам – он обладает исключительной проводимостью, гексагональный нитрид бора, напротив, изолятор. В этом году исследователи из Райса уже сообщали о возможности получения комбинированного материала, содержащего в в одной двумерной кристаллической решетке гексагональный нитрид бора и графен, что использовалось ими для регулирования величины запрещенной энергетической зоны в гибридном материале.

Новое исследование, проведенное в Университете Райса, в котором также принимали участие Александр Квашнин (Alexander Kvashnin) и Дмитрий Квашнин (Dmitry Kvashnin) из Сибирского федерального университета позволило разработать метод осаждения от одного до пяти слоев химически чистого гексагонального нитрида бора на поверхность медного субстрата, откуда осажденный нитрид бора может быть перенесен на другие субстраты.

Для выращивания слоев гексагонального нитрида бора на медной подложке исследователи использовали процесс химического осаждения паров при температуре 1000°C. После осаждения слой нитрида бора может быть отделен от меди и перенесен на другую поверхность.

Исследователи отмечают, что новая методика может оказаться полезной для получения микроскопических и наноразмерных «рисунков» из графена и гексагонального нитрида бора, такие шаблоны могу т использоваться для получения наноразмерных транзисторов, квантовых конденсаторов или биосенсоров.

Исследования механической прочности гексагонального нитрида бора с помощью атомного силового микроскопа показали, что этот материал отличается такой же прочностью и эластичностью, как и углеродный аналог гексагонального нитрида бора – графен.

Исследователи из Университета Райса отмечают, что размер листов гексагонального нитрида бора определяется только размером медной подложки и устройства для химического осаждения паров, и при большом размере «печки» процесс может быть адаптирован для получения метровых листов нитрида бора.

Источник:

1. Nano Letters, 2010; 100722142755098 DOI: 10.1021/nl1022139

2. http://www.chemport.ru/datenews.php?news=2188