Энциклопедия |
Конференции, симпозиумы |
Подписка и отписка на новости |
Научные институты |
Статьи, рефераты |
Аннотации журналов |
Правила для авторов |
Поиск по сайту |
Контакты |
Добавить статью, новость |
Подписка на журнал |
Нанопроволока |
18.09.2010 г. | |
Ученым из Школы техники и прикладных наук им. Генри Сэмюэли при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе (UCLA), Университета Пёрдью, штат Индиана, США и компании IBM удалось вырастить полупроводящие кремниево-германиевые нанопроволоки, которые в перспективе можно использовать для создания транзисторов нового поколения. Группа получила нанопроволоки из слоев кремния и германия – без каких-либо дефектов и с очень четкой атомарной границей между слоями разных веществ, порядка одного атома. Это значительно улучшило электронные свойства нанопроволок. Кремниево-германиевые наноструктуры найдут также применение как термоэлектрические материалы, способные преобразовать тепло в электричество. Журнал "Российские нанотехнологии" № 1-2 2010 год. |