Индекс цитирования

Авторизация






Забыли пароль?

Обложка журнала

НОВОСТИ

(11/10) Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность..
   Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность меняет течение жидкости     ...
Read More ...
(11/10) Ученые обнаружили пути проникновения вирусов гриппа и ВИЧ в организм
Ученые ИФХЭ РАН, НИТУ МИСиС, МФТИ и ряда других российских научных организаций изучили и описали би...
Read More ...
(17/04) Курс “Анализ геномных данных”, Москва, 2 – 11 июля 2012
Уважаемые коллеги, Со 2 по 11 июля 2012 года Учебный центр Института биологии гена РАН организует практический десятидневный курс по статистическому анализу геномных дан...
Read More ...
(12/03) Впервые получено изображение атомов, движущихся в молекуле
Исследователи из Университетов Огайо и Канзаса впервые смогли получить изображения атомов, движущихся в молекуле. С помощью ультрабыстрого лазера исследователи выбивали элек...
Read More ...

Получено сверхпроводящее состояние германия при атмосферном давлении Печать
(0 голосов)
02.06.2009 г.

Image

Большинство химических элементов обретают свойства сверхпроводимости при низких температурах или высоком давлении. До настоящего времени не удавалось перевести в такое состояние лишь некоторые из них, например, медь, серебро, золото, а из полупроводников – германий. Немецкие ученые из Дрезденского научно-исследовательского центра показали, что высоколегированный германий может переходить в сверхпроводящее состояние при атмосферном давлении.

Результаты работы опубликованы в журнале Physical Review Letters (Superconducting state in a gallium-doped germanium layer at low temperatures).

Вот так видит художник процесс получения сверхпроводящего германия. Ионы галлия (показаны синим) проникают внутрь материала. Образуются куперовские пары (красные), и германий превращается в сверхпроводник. (Изображение: Sander Münster, Kunstkosmos)

При низких температурах беспримесные полупроводники, как известно, приобретают свойства диэлектриков, а потому для демонстрации эффекта сверхпроводимости их, очевидно, необходимо легировать. В данной работе для легирования использовались ионы галлия, которые вводились в структуру материала методом ионной имплантации. В результате был получен слой примесного полупроводника толщиной 60 нм, причем на каждые 100 атомов германия в нем приходилось около 6 атомов галлия. После завершения легирования «поврежденную» кристаллическую решетку полупроводника необходимо восстановить: для этого поверхность материала быстро (в течение нескольких миллисекунд) нагревают.

Полученная полупроводниковая структура переходит в сверхпроводящее состояние при температуре около 0,5 К; ученые, впрочем, надеются повысить этот показатель путем изменения определенных параметров ионной имплантации и отжига. Говоря о достоинствах нового материала, авторы также отмечают необычно высокое значение критического магнитного поля (максимальной величины напряженности, при которой магнитное поле еще не проникает в полупроводник) для данной температуры.

Интересно, что германий, применявшийся для изготовления первого поколения транзисторов, в настоящее время практически «забыт» производителями электроники в связи с переходом на кремний. Однако эксперты предсказывают возможное возрождение интереса к этому материалу, поскольку на его основе можно создавать более миниатюрные схемы высокого быстродействия.

Источники:

1. http://www.sciencedaily.com/…28092520.htm

2. http://www.nanonewsnet.ru

 

 

 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить