Энциклопедия |
Конференции, симпозиумы |
Подписка и отписка на новости |
Научные институты |
Статьи, рефераты |
Аннотации журналов |
Правила для авторов |
Поиск по сайту |
Контакты |
Добавить статью, новость |
Подписка на журнал |
Ещё один материал толщиной в один атом |
06.06.2009 г. | |
Графен уже не является единственным материалом, способным к существованию в виде пленки толщиной в один атом. По словам исследователей из Германии, помимо графена стабильные моноатомные слои образует нитрид бора. Рисунок из Nano Lett., DOI 10.1021/nl9011497 Еще десять лет назад неоднократно делались заявления о том, что материалы не могут существовать в виде моноатомного слоя – считалось, что такая пленка либо не сможет образоваться, либо, даже в случае ее образования, свернется в трубочку или другую структуру. Однако всего лишь несколько лет назад исследователи продемонстрировали не только возможность существования графена, но и относительную легкость его образования. Получение графена инициировало развитие исследований, которые позволили обнаружить уникальные практически полезные механические, электронные и химические свойства самого тонкого материала в мире. Использование твердой подложки позволяет получить и другие пленки толщиной в один атом, однако, в отличие от графена, такие пленки нельзя отделить от подложки, не нарушая их структуры. Использование твердой подложки позволяет получить и другие пленки толщиной в один атом, однако, в отличие от графена, такие пленки нельзя отделить от подложки, не нарушая их структуры. Янник Мейер (Jannik C. Meyer) и Уте Кайзер (Ute Kaiser) из Университета Ульма получили микроскопические образцы пленок из гексагонального нитрида бора (h-BN), «отшелушивая» их от кристаллов h-BN с помощью клейкой ленты (этот метод обычно используется для получения графена). Облучение полученных «хлопьев» с помощью луча просвечивающего электронного микроскопа позволило «выбить» атомы из кристаллической решетки и «довести» толщину полученных образцов до одноатомной. Скорость модификации материала может регулироваться за счет изменения интенсивности излучения лазера. Источники: 1. Nano Lett., DOI 10.1021/nl9011497 2. ChemPort |