Индекс цитирования

Авторизация






Забыли пароль?

Обложка журнала

НОВОСТИ

(11/10) Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность..
   Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность меняет течение жидкости     ...
Read More ...
(11/10) Ученые обнаружили пути проникновения вирусов гриппа и ВИЧ в организм
Ученые ИФХЭ РАН, НИТУ МИСиС, МФТИ и ряда других российских научных организаций изучили и описали би...
Read More ...
(17/04) Курс “Анализ геномных данных”, Москва, 2 – 11 июля 2012
Уважаемые коллеги, Со 2 по 11 июля 2012 года Учебный центр Института биологии гена РАН организует практический десятидневный курс по статистическому анализу геномных дан...
Read More ...
(12/03) Впервые получено изображение атомов, движущихся в молекуле
Исследователи из Университетов Огайо и Канзаса впервые смогли получить изображения атомов, движущихся в молекуле. С помощью ультрабыстрого лазера исследователи выбивали элек...
Read More ...

Новый прорыв в полупроводниковых нанолазерах Печать
(0 голосов)
31.07.2009 г.

Image

Недалек тот день, когда мы увидим гигантский взлет потенциальных возможностей лазерной технологии. Важный шаг в этом направлении сделали физики из Голландии и США. Их работа открывает новые возможности по миниатюризации полупроводниковых лазеров и применению их в быстродейcтвующих компьютерах и линиях связи.

Группа ученых из Технического университета Эйндховена (Нидерланды) и Университета штата Аризона (США) продемонстрировала самый тонкий в мире полупроводниковый лазер. Результаты исследований опубликованы в интернет-журнале Optics Express (Lasing in metal-insulator-metal sub-wavelength plasmonic waveguides

Минимальные линейные размеры лазеров, как считается, определяются длиной волны излучения; если принять ее за 1500 нм и учесть показатель преломления, который в случае полупроводникового материала можно считать равным трем, окажется, что ширина (длина, высота) активного элемента должна превышать 250 нм.

Авторы рассматриваемой работы показали, что это ограничение можно обойти, используя в конструкции лазера сочетание полупроводников, диэлектриков и металлов. Ученые создали двойную гетероструктуру (см. рисунок ниже) на основе фосфида индия InP и арсенида индия-галлия InGaAs толщиной около 80 нм, по бокам которой были расположены слои диэлектрика — нитрида кремния — толщиной 20 нм. Затем на подготовленные таким образом поверхности активного элемента было нанесено серебряное покрытие.

Сформированная структура исправно функционировала при температурах около 10 К; теперь исследователи пытаются найти способ получить лазерное излучение при комнатной температуре. «Мы первыми преодолели ограничение на размеры нанолазеров, —говорит руководитель работы проф. Аризонского Университета Цунь-Чжэн Нин (Cun-Zheng Ning). — Это важное достижение; перед нанолазерами открываются серьезные перспективы в электронике и медицине».

Источники:
1. http://asunews.asu.edu/…8_ninglasers
2. http://www.physorg.com/…8012151.html
3. http://www.nanonewsnet.ru