Ученым из Школы техники и прикладных наук им. Генри Сэмюэли при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе (UCLA), Университета Пёрдью, штат Индиана, США и компании IBM удалось вырастить полупроводящие кремниево-германиевые нанопроволоки, которые в перспективе можно использовать для создания транзисторов нового поколения.

Группа получила нанопроволоки из слоев кремния и германия – без каких-либо дефектов и с очень четкой атомарной границей между слоями разных веществ, порядка одного атома. Это значительно улучшило электронные свойства нанопроволок.

Кремниево-германиевые наноструктуры найдут также применение как термоэлектрические материалы, способные преобразовать тепло в электричество.

Журнал "Российские нанотехнологии" № 1-2 2010 год.