Литографически-индуцированная самосборка

Материал из m-protect.ru

В методе литографически-индуцированной самосборки наноструктур маска используется для запуска и регулирования процессов самосборки периодической надмолекулярной матрицы столбиков, формирующего из полимерного расплава, который первоначально образует тонкий плоский слой на подложке. Маска располагается на слоем полимера с небольшим зазором, а столбики полимера в процессе роста поднимаются в зазор, преодалевая действие сил тяжести и поверхностного натяжения. Границы области роста точно соответствуют контуру рельефа поверхности маски. Предполагается, что процесс литографически-индуцированной самосборки наноструктур вызывается электростатическими силами и электродинамической нестабильностью.

Периодические матрицы получаемые этим методом, уже нашли много применений, в том числе в запоминающих устройствах, при создании фотонных и биологических материалов. Дает уникальную возможность изготавливать из полимеров непосредственно по образцу электронные и оптоэлектронные устройства, без применения дорогостоящих фотолитографических процессов.