Toshiba заявляет о том что разработала высокочувствительный фоторезист для литографического процесса с применением сверхглубокого ультрафиолета EUV (extreme ultraviolet) при производстве полупроводников. Преимущества материала подтверждены в ходе испытаний с использованием 20-нм техпроцесса.

Достижение важно потому, что вместе с увеличением плотности размещения полупроводниковых элементов, когда литографические технологии подходят к 20-нм масштабам, обычные полимерные фоторезисты уже не справляются с возложенными на них задачами. Размеры их молекул и связи между молекулярными цепочками являются ограничителем. К тому же, сегодняшнее оборудование для аргон-фторидной лазерной экспозиции не способно обеспечить требуемых разрешений. Решение – в переходе на EUV-литографию и фоторезист, основанный на низкомолекулярном веществе.

При нанесении рисунка полупроводниковых цепей на подложку нужны позитивные и негативные фоторезисты, что позволяет сохранить точность структуры. При позитивном экспонировании подвергшиеся облучению участки удаляются с пластины. При негативном – удаляются участки, не попавшие под излучение. Низкомолекулярный состав Toshiba получила из производного соединения труксена (truxene), который более стоек, чем полимеры. После успешного получения тестового рисунка на подложке в 20-нм масштабе компания намерена продолжить совершенствование молекулярного резиста и его подготовку к выпуску 20-нм высокоинтегрированных LSI-компонентов. Согласно Международному графику полупроводниковых технологий (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS), крупномасштабное производство этого поколения устройств начнётся в 2013 году.