Энциклопедия |
Конференции, симпозиумы |
Подписка и отписка на новости |
Научные институты |
Статьи, рефераты |
Аннотации журналов |
Правила для авторов |
Поиск по сайту |
Контакты |
Добавить статью, новость |
Подписка на журнал |
Разработка полупроводниковых наноструктур для спинового транзистора и магнитной памяти |
05.12.2009 г. | |
Считается, что к 2015 году произойдет переход к новым элементам памяти на основе спинтронных устройств, так называемой MRAM- magnetic random access memory, что приведет к резкому изменению компьютерных устройств. Например, скорость доступа к такой памяти будет в тысячу раз больше, чем у нынешних элементов флэш-памяти, а ресурс перезаписи — в сто тысяч раз больше. В результате, можно будет отказаться от применения жестких дисков для хранения информации и заменить их неподвижными блоками. Поскольку в спинтронном устройстве для передачи информации наряду с электрическими будут использованы и магнитные свойства электронов, для их создания требуется разработка ферромагнитных полупроводников, свойствами которых можно управлять как электрическим, так и магнитными полем. Известные материалы для спинтроники переходят в ферромагнитное состояние при низкой температуре: 172 К. В Курчатовском институте создали два новых материала в виде слоистых гетероструктур GaAs/InGaAs/GaAs и на основе Si и полупроводников A3B5 с квантовыми ямами из ферромагнитного элемента -Mn. Первая структуру имела относительно высокую температуру перехода в ферромагнитное состояние: 100 К, зато обладала высокой подвижностью носителей зарядов — 3000 см2/В. Вторая же структура становилась ферромагнитной уже при комнатной температуре. На основании полученных результатов разработано техническое задание на создание прототипа спинового транзистора. Работа выполнена при поддержке Роснауки (в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 — 2012 годы») Источник: http://www.nanojournal.ru
|