Индекс цитирования

Авторизация






Забыли пароль?

Обложка журнала

НОВОСТИ

(11/10) Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность..
   Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность меняет течение жидкости     ...
Read More ...
(11/10) Ученые обнаружили пути проникновения вирусов гриппа и ВИЧ в организм
Ученые ИФХЭ РАН, НИТУ МИСиС, МФТИ и ряда других российских научных организаций изучили и описали би...
Read More ...
(17/04) Курс “Анализ геномных данных”, Москва, 2 – 11 июля 2012
Уважаемые коллеги, Со 2 по 11 июля 2012 года Учебный центр Института биологии гена РАН организует практический десятидневный курс по статистическому анализу геномных дан...
Read More ...
(12/03) Впервые получено изображение атомов, движущихся в молекуле
Исследователи из Университетов Огайо и Канзаса впервые смогли получить изображения атомов, движущихся в молекуле. С помощью ультрабыстрого лазера исследователи выбивали элек...
Read More ...

Сверхмощные светоизлучающие кристаллы на основе инверсных GaN-гетероструктур Печать
(1 голос)
21.01.2010 г.

Переход от лампы накаливания к светодиодам считается основным средством снижения затрат электроэнергии на освещение. Кроме того, благодаря большому ресурсу работы, который исчисляется тысячами часов, светодиодные источники света позволяют снизить затраты труда на обслуживание светильников, расположенных в труднодоступных местах. Использование светодиодов в автономных светильниках существенно увеличивает время их работы без смены источников тока.

Специалисты ЗАО «ЭПИЦЕНТР» разработали технологии получения нового материала для изготовления ярких светодиодов белого и синего света, причем найденное решение обладает патентной чистотой, что позволяет выходить с продукцией на внутренний и внешний рынки. Эти технологии связаны с получением светоизлучающих инверсных GaN-гетероструктур и светоизлучающих кристаллов на основе таких гетероструктур. Обе технологии необходимы для изготовления ярких светодиодов синего и белого света.

Опытные партии созданных на основе разработанных технологий светодиодов успешно прошли проверочные испытания и продемонстрировали большую эффективность преобразования электричества в свет — 40%.

В настоящее время подготовлены производственные мощности для постановки на производство разработанных технологий. Готовятся лицензионные договора о передаче лицензий на производство продукции с использованием разработанных технологий. Основные идеи и технологические приемы, реализованные при выполнении данной работы, могут быть использованы при дальнейшей разработке технологий изготовления светоизлучающих гетероструктур и кристаллов других важных спектральных диапазонов излучения: зеленого (500-560 нм), ближнего (350-380 нм) и дальнего (280-350 нм) ультрафиолетового диапазонов.

Работа выполнена при поддержке Роснауки (в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 — 2012 годы»).

Источник: http://www.nanojournal.ru/