Индекс цитирования

Авторизация






Забыли пароль?

Обложка журнала

НОВОСТИ

(11/10) Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность..
   Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность меняет течение жидкости     ...
Read More ...
(11/10) Ученые обнаружили пути проникновения вирусов гриппа и ВИЧ в организм
Ученые ИФХЭ РАН, НИТУ МИСиС, МФТИ и ряда других российских научных организаций изучили и описали би...
Read More ...
(17/04) Курс “Анализ геномных данных”, Москва, 2 – 11 июля 2012
Уважаемые коллеги, Со 2 по 11 июля 2012 года Учебный центр Института биологии гена РАН организует практический десятидневный курс по статистическому анализу геномных дан...
Read More ...
(12/03) Впервые получено изображение атомов, движущихся в молекуле
Исследователи из Университетов Огайо и Канзаса впервые смогли получить изображения атомов, движущихся в молекуле. С помощью ультрабыстрого лазера исследователи выбивали элек...
Read More ...

Ферроэлектрики для хранения информации Печать
(0 голосов)
18.05.2009 г.

Image Новый подход химии материалов использует кристалл кремния в качестве наноразмерной «струбцины», позволяющей зафиксировать другой кристалл в несвойственной для него форме – такой подход позволит разработать новый класс электронных приборов, способных «запоминать» свое состояние даже после прекращения подачи энергии.

Расположение атомов в тонкой пленке титаната стронция и монокристалл кремния, с помощью которого такое расположение было достигнуто. Если пленка достаточно тонка, атомы в титанате стронция могут быть ориентированы «по образу и подобию» атомов кремния подложки, в результате чего SrTiO3 приобретает ферроэлектрические свойства. (Рисунок из Science, 2009; 324 (5925): 367)

Около двух лет назад Йозеф Войчик (Joseph Woicik) продемонстрировал на экспериментальном и теоретическом уровне, что при точном послойном нанесении титаната стронция на кремниевую подложку структура SrTiO3 будет искажаться, приводя к образованию ферроэлектрика, способного служить материалом для быстрого и эффективного хранения информации. В новой работе демонстрируется возможность записи, хранения, считывания и удаление информации с пленки титаната стронция.

В отличие от обычных материалов для хранения информации, записывающих данные как шаблон намагниченных регионов с различным ориентированием, ферроэлектрики хранят информацию в виде поляризованных в различных направлениях диполях. Ферроэлектрические структуры, которые могут быть построены непосредственно на поверхности кристаллов из кремния, могут использоваться для получения энергонезависимых модулей памяти или сенсоров давления и температуры, интегрированных с кремниевой микроэлектроникой. Наиболее перспективным представляется создание ферроэлектрических транзисторов, способных сохранять свое логическое состояние без электропитания.

Важный шаг в решение проблемы был сделан Хао Ли (Hao Li) из Motorola, Inc.. Исследователь смог осадить металло-оксидную пленку непосредственно на кремний, не допустив появления промежуточного слоя из оксида кремния, что позволяет сохранять «когерентность» между двумя кристаллическим структурами. Осуществить такое было вдвойне трудно, так как, во-первых, кремний легко окисляется, а во-вторых кристаллические структуры кремния SrTiO3 не находятся в идеальном соответствии. Применив прежде полученные результаты рентгеновской дифракции, Ли разработал постадийный метод осаждения титаната стронция, позволяющий получать слои толщиной в несколько атомов. Как показал рентгеноструктурный анализ, атомы кремния буквально сжимают кубические кристаллы титаната стронция, заставляя их принимать удлиненную форму. Такое искажение приводит к структурной нестабильности пленки, превращая ее в ферроэлектрик.

 

Источники:

1. Science, 2009; 324 (5925): 367 DOI: 10.1126/science.1169678
2. ChemPort