Энциклопедия |
Конференции, симпозиумы |
Подписка и отписка на новости |
Научные институты |
Статьи, рефераты |
Аннотации журналов |
Правила для авторов |
Поиск по сайту |
Контакты |
Добавить статью, новость |
Подписка на журнал |
Новые изобретения для электроники будущего |
21.08.2009 г. | |
Учёные из новосибирского Института физики им. Л. В. Киренского под руководством Дмитрия Калинина изобрели новый способ получения фотонно-кристаллических опаловых пленок. С фотонными кристаллами связывают будущее электроники Сибирские ученые разработали новый метод получения опаловых пленок. Для выращивания используется смесь частиц кремнезема и диметил-сульфат-оксида (ДМСО). Эта смесь лиофильна, т. е. в ней твердые частицы «притягивают» к себе молекулы жидкости. Частицы кремнезема заряжены положительно, поэтому на них налипают полярные молекулы жидкости. В результате, вокруг шариков образуются оболочки, которые не дают частицам кремнезема соприкоснуться друг с другом. После приготовления смесь намазывают на подложку. Под действием силы тяжести, получившиеся частицы кремния, одетые в «шубу» из молекул жидкости, оседают, образовывая на подложке несколько слоев с большой концентрацией частиц кремнезема. Затем жидкость выпаривается и на подложке остается готовая опаловая пленка. Получаемые таким способом пленки имеют толщину 25—30 слоев частиц кремнезема или 3—5 мкм. Частицы уложены в слои с гексагональной упаковкой параллельно плоскости подложки. По функциональным и механическим характеристикам получаемые пленки превосходят пленки, получаемые прочими способами, утверждают исследователи.
|