Индекс цитирования

Авторизация






Забыли пароль?

Обложка журнала

НОВОСТИ

(11/10) Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность..
   Ученые из ИФХЭ РАН и МГУ под руководством Ольги Виноградовой поняли, как «полосатая» гидрофобность меняет течение жидкости     ...
Read More ...
(11/10) Ученые обнаружили пути проникновения вирусов гриппа и ВИЧ в организм
Ученые ИФХЭ РАН, НИТУ МИСиС, МФТИ и ряда других российских научных организаций изучили и описали би...
Read More ...
(17/04) Курс “Анализ геномных данных”, Москва, 2 – 11 июля 2012
Уважаемые коллеги, Со 2 по 11 июля 2012 года Учебный центр Института биологии гена РАН организует практический десятидневный курс по статистическому анализу геномных дан...
Read More ...
(12/03) Впервые получено изображение атомов, движущихся в молекуле
Исследователи из Университетов Огайо и Канзаса впервые смогли получить изображения атомов, движущихся в молекуле. С помощью ультрабыстрого лазера исследователи выбивали элек...
Read More ...

Успехи TSMC в освоении 28-нм техпроцесса Печать
(0 голосов)
25.08.2009 г.

Тайваньский производитель интегральных микросхем, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., занята разработкой и доведением до ума новейшей технологии изготовления микрочипов с проектной нормой 28 нанометров.

Согласно обнародованным ранее планам, R&D-процесс должен быть завершен в следующем году, после чего начнется подготовительный этап по запуску серийного производства 28-нм интегральных микросхем. Сейчас же мы предлагаем обратить внимание именно на процесс разработки новой технологии, тем более, что получены новые сведения об успехах TSMC.

Итак, инженерам-технологам компании TSMC удалось создать интегральные микросхемы статической памяти (SRAM) информационной емкостью 64 Мб с использованием сразу трех версий своего новейшего техпроцесса. Технологии получили следующие обозначения: 28-LP, в случае которого применяется диэлектрический оксинитрид кремния; 28-HP и 28-HLP, в случае которых инженеры используют привычные high-K-материалы и формируют металлический затвор транзисторов.

Ближе всего к началу серийного производства техпроцесс 28-LP, а на его основе будут изготовлять микросхемы для мобильной электроники, для которых в числе основных требований – невысокая потребляемая мощность и невысокая себестоимость. Ожидается, что серийный выпуск продукции на основе 28-LP стартует ближе к концу первого квартала 2010 года. Однако в этом случае речь идет о высокорисковом производстве, при котором высока вероятность значительного количества брака.

Теперь переходим к двум другим вариантам 28-нм технологического процесса – 28-HP и 28-HLP. На основе первого тайваньский чипмейкер рассчитывает изготовляться интегральные микросхемы, для которых важнейшим требованием будет высокая производительность. Сюда входят такие устройства, как центральные и графические процессоры, чипсеты, FPGA-решения, микросхемы для сетевого оборудования и игровых консолей. Компания TSMC планирует, что подготовка технологии будет завершена к концу второго квартала 2010 года, после чего можно будет начинать выпуск первых интегральных микросхем. Разумеется, первоначально выход годного окажется весьма низким, но с течением времени благодаря оптимизации технологии этот параметр планируется привести в норму.

В свою очередь техпроцесс 28-HLP представляет собой производную от 28-HP, в случае которого инженеры делают ставку уже не на производительность, а не экономичность микросхем в плане потребляемой мощности. Здесь наиболее важной задачей разработчиков является снижение токов утечки, а производительность отходит на второй план. На основе 28-HLP будут выпускаться интегральные микросхемы для мобильных компьютеров, мобильных телефонов, коммуникационного оборудования и портативной потребительской электроники.

Источники:
1. 3DNews: Успехи TSMC в освоении 28-нм техпроцесса