ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ГРАНИ СЕРЕБРА И ЕГО ЛЕГИРОВАНИЯ ЗОЛОТОМ НА СВОЙСТВА ТОНКИХ АНОДНЫХ ПЛЕНОК ОКСИДА Ag(I). ЧАСТЬ II. ФОТОПОТЕНЦИАЛ

Д. А. Кудряшов, С. Н. Грушевская, О. Олалекан, Н. В. Кухарева, А. В. Введенский

Воронежский государственный университет Россия, 394006, Воронеж, Университетская пл. 1

Поступила в редакцию 05.09.2008 г.

Показано, что выход по току процесса анодного оксидообразования на поликристаллическом серебре снижается с ростом концентрации раствора KOH, в то время как контролирующей стадией остается твердофазный массоперенос. Фотопотенциал в наноразмерных пленках оксида Ag(I), анодно сформированных на поликристаллическом серебре, не зависит от концентрации OH^–-ионов, следовательно фотоотклик возникает в объеме оксида. Подтвержден n-тип проводимости оксидной пленки на серебре, Ag–Au сплавах, а также низкоиндексных монокристаллических гранях серебра, установленный в опытах по измерению фототока. Переход от поли- к монокристаллическому серебру приводит к заметному снижению амплитуды фотопотенциала вследствие снижения степени его отклонения от стехиометричного состава. Подвижность электронов и парциальная электронная фотопроводимость в анодном оксиде Ag(I) зависят от ориентации кристаллической грани серебра и концентрации золота. При Е = 0.56 В ряды изменения данных характеристик коррелируют с рядами изменения иных структурно-зависимых параметров Ag₂O (коэффициент оптического поглощения , концентрация донорных дефектов N_D, ширина области пространственного заряда W и дебаевская длина экранирования L_D).

Список литературы

1. Кудряшов Д.А., Грушевская С.Н., Ганжа С.В., Введенский А.В. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2009. Т. 45. В печати.
2. Perkins R.S., Tilak B.V., Conway B.E., Kozlowska H.A. // Electrochim. Acta. 1972. V. 17. № 8. P. 1471.
3. Tjeng L.H., Meinders M.B.J., van Elp J., Ghijsen J. // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. № 5. P. 3190.
4. Barik U.K., Srinivasan S., Nagendra C.L., Subrahmanyan A. // Thin Solid Films. 2003. V. 429. № 1–2. P. 129.
5. Vijh A.K., Diggle J.W. In: Oxides and Oxide Films. N.Y.: Marcel Dekker, 1973. V. 2. P. 150.
6. Butler M.A., Ginley D.S. // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125. № 2. P. 228.
7. Tselepis E., Fortin E. // J. Mater. Sci. 1986. V. 21. P. 985.
8. Varkey A.J., Fort A. F. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1993. V. 29. № 3. P. 253.
9. Лукьянчиков А.Н., Грушевская С.Н., Кудряшов Д.А., Введенский А.В. Патент 55988 РФ // Б.И. 2006. № 24. C. 3.
10. Dignam M.J., Barret H.M., Nagy G.D. // Canad. J. Chem. 1969. V. 47. № 22. P. 4253.
11. Tilak B.V., Perkins R.S., Kozlowska H.A., Conway B.E. // Electrochim. Acta. 1972. V. 17. № 8. P. 1447.
12. Becerra J.G., Salvarezza R.C., Arvia A.J. // Electrochim. Acta. 1990. V. 35. № 3. P. 595.
13. Alonso C., Salvarezza R.C., Vara J.M., Arvia A.J. // Electrochim. Acta. 1990. V. 35. № 2. P. 489.
14. Droog J.M.M. // J. Electroanal. Chem. 1980. V. 115. № 1–2. P. 225.
15. Vvedenskii A., Grushevskaya S., Kudryashov D., Kuznetsova T. // Corros. Sci. 2007. V. 49. P. 4523.
16. Галюс З. Теоретические основы электрохимического анализа. М.: Мир, 1974. C. 552.
17. Кузнецова Т.А. Дисс канд. хим. наук: 02.00.05. Воронеж: ВГУ, 2002. 214 с.
18. Кузнецова Т.А. Флегель Е.В., Введенский А.В. // Защита металлов. 2002. Т. 38. № 4. С. 379.
19. Кудряшов Д.A., Грушевская С.Н., Введенский А.В. // Защита металлов. 2008. Т. 44. № 3. С. 321.
20. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников. М.: Наука, 1983. 312 с.