Гетероструктура

Материал из m-protect.ru

(Различия между версиями)
Перейти к: навигация, поиск
(Новая: '''Гетероструктура''' (Heterostructure) - cлоистая структура, образованная при тесном контакте двух и более разн...)
 
Строка 1: Строка 1:
-
'''Гетероструктура''' (Heterostructure) - cлоистая структура, образованная при тесном контакте двух и более разнородных полупроводников, различающихся шириной запрещенных зон, постоянной кристаллической решетки и другими параметрами. В силу кватово-размерных эффектов в слое толщиной от 1 до 50 нм носители заряда располагаются на дискретных энергетических уронях подобно электронам и дыркам в квантовых точках.
+
'''Гетероструктура''' (Heterostructure) - cлоистая структура, образованная при тесном контакте двух и более разнородных полупроводников, различающихся шириной запрещенных зон, постоянной кристаллической решетки и другими параметрами. В силу квантово-размерных эффектов в слое толщиной от 1 до 50 нм носители заряда располагаются на дискретных энергетических уровнях подобно электронам и дыркам в квантовых точках.
Проявление эффекта размерного квантования в гетероструктурах позволяет создавать электронные устройства с повышенным быстродействием и информационной емкостью, российский ученый Ж.И.Алферов отмечен Нобелевской премией за работу по физике гетероструктур.
Проявление эффекта размерного квантования в гетероструктурах позволяет создавать электронные устройства с повышенным быстродействием и информационной емкостью, российский ученый Ж.И.Алферов отмечен Нобелевской премией за работу по физике гетероструктур.

Текущая версия

Гетероструктура (Heterostructure) - cлоистая структура, образованная при тесном контакте двух и более разнородных полупроводников, различающихся шириной запрещенных зон, постоянной кристаллической решетки и другими параметрами. В силу квантово-размерных эффектов в слое толщиной от 1 до 50 нм носители заряда располагаются на дискретных энергетических уровнях подобно электронам и дыркам в квантовых точках.

Проявление эффекта размерного квантования в гетероструктурах позволяет создавать электронные устройства с повышенным быстродействием и информационной емкостью, российский ученый Ж.И.Алферов отмечен Нобелевской премией за работу по физике гетероструктур.

Источник:

  • Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л.Ченга, К.Плога. М., Мир, 1989.
Личные инструменты