Соль Магнуса
Материал из m-protect.ru
| Строка 2: | Строка 2: | ||
Также известна как [[хлорплатинит]] [[1-ое основание Рейзе|1-го основания Рейзе]]. | Также известна как [[хлорплатинит]] [[1-ое основание Рейзе|1-го основания Рейзе]]. | ||
| - | Первый из открытых комплексов аммиака и платины. Открыта | + | Первый из открытых комплексов аммиака и платины. Открыта Генрихом Магнусом в 1823 году. Имеет тёмно-зелёный цвет, малорастворима в воде и в органических растворителях. |
| - | Кристаллографически имеет | + | Кристаллографически имеет квазиодномерную структуру, ионы платины вытянуты вдоль одной линии, взаимодействие между ионами на одной линии весьма сильное, для ионов на соседних линиях — слабое. С этой точки зрения это вещество (как одномерный магнетик) должно представлять интерес для современной физики конденсированных сред, более конкретно для физики сильно коррелированых систем. |
В настоящее время появился интерес к соли Магнуса в связи с возможностью создания органических полупроводниковых устройств на её основе. | В настоящее время появился интерес к соли Магнуса в связи с возможностью создания органических полупроводниковых устройств на её основе. | ||
| - | |||
[[Категория:Комплексные соединения]] | [[Категория:Комплексные соединения]] | ||
Версия 21:04, 27 июня 2009
Соль Магнуса (Magnus green salt) — [Pt(NH3)4][Pt(II)Cl4]. Также известна как хлорплатинит 1-го основания Рейзе.
Первый из открытых комплексов аммиака и платины. Открыта Генрихом Магнусом в 1823 году. Имеет тёмно-зелёный цвет, малорастворима в воде и в органических растворителях.
Кристаллографически имеет квазиодномерную структуру, ионы платины вытянуты вдоль одной линии, взаимодействие между ионами на одной линии весьма сильное, для ионов на соседних линиях — слабое. С этой точки зрения это вещество (как одномерный магнетик) должно представлять интерес для современной физики конденсированных сред, более конкретно для физики сильно коррелированых систем.
В настоящее время появился интерес к соли Магнуса в связи с возможностью создания органических полупроводниковых устройств на её основе.
