Наноимпринт литография

Материал из m-protect.ru

Перейти к: навигация, поиск
Схема наноимпринтной литографии
Схема наноимпринтной литографии
Наноимпринт-литография (NanoImprint Lithography - NIL) и ее вариации базируются на принципе механического модифицирования пролимерной пленки при помощи стемпера (наношаблона), с последующей термомеханической обработкой (горячее тиснение) либо обработкой ультрафиолетом.
SUSS MA6
SUSS MA6

Полученная пленка может быть использована как непосредственно конечная структура, так и для последующих шагов как наношаблон, для взрывной литографии (lift-off), как шаблон для формирования 3D-структур.

С 1990-х годов наноимпринтная литография (НИЛ) возникла и развивалась как один из наиболее универсальных методов для формирования наноразмерных структур, размеры которых лежат в диапазоне от 10 нм до единиц мкм. Сегодня НИЛ является одной из технологий, на которые делают ставку разработчики микросхем. Для реализации НИЛ на подложке необходимы три основных компонента: штамп с соответствующими деталями, материал, на котором изготавливают отпечаток (в качестве которого обычно используют полимерный резист), оборудование для печати с соответствующим контролем температуры, давления и относительного расположения штампа и подложки.


В процессе термического импринта, штамп вдавливают под высоким давлением и при высокой температуре в слой полимера, который в данный момент процесса находится в жидком состоянии. При остывании полимер фиксирует необходимую форму, после чего штамп удаляют. Технология достаточно проста и благодаря этому находит широкое применение. Самым слабым местом такой технологии является резист, который, для получения высокого качества и разрешения изображений должен удовлетворять целому ряду иногда противоречивых требований, таких как низкая вязкость, низкая адгезия к штампу, высокая адгезия к подложке, высокое сопротивление к травлению. В частности, высокую резистивность травлению получают при добавлении в резист тонкослойного металлического покрытия с целью образования металлической маски, имеющей высокую резистивность к ионному травлению по сравнению с большинством органических полимерных резистов.

Личные инструменты